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韩国半导体制造商SK海力士于8月21日宣布，成功研发出面向人工智能（AI）的超高性能动态随机存取存储器（DRAM）新产品HBM3E，并已开始向客户提供样品进行性能验证。HBM（High Bandwidth Memory）是一种通过垂直连接多个DRAM，从而显著提升数据处理速度的存储器。HBM3E是HBM3的扩展版本，也是HBM系列的第五代产品。SK海力士表示，公司以唯一量产HBM3的经验为基础，成功开发出全球最高性能的扩展版HBM3E。并凭借业界最大规模的HBM供应经验和量产成熟度，将从明年上半年开始投入HBM3E量产，以此夯实在面向AI的存储器市场中独一无二的地位。据介绍，HBM3E在速度方面，最高每秒可以处理1.15TB（太字节）的数据，相当于在1秒内可处理230部全高清（Full-HD，FHD）级电影（5千兆字节，5GB）。此外，SK海力士技术团队在该产品上采用了Advanced MR-MUF最新技术，其散热性能与上一代相比提高10%。HBM3E还具备了向后兼容性，因此客户在基于HBM3组成的系统中，无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。英伟达Hyperscale和HPC部门副总裁伊恩·巴克表示，英伟达为了最先进加速计算解决方案所应用的HBM，与SK海力士进行了长期的合作。他期待两家公司在HBM3E领域的持续合作，以展示新一代AI计算。