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美光科技近日透露，计划在2024年量产32Gb DDR5芯片以及更大容量的内存模块。据悉，美光科技是全球首家推出24Gb DDR5内存芯片的公司。去年，该公司在其1α（1-alpha）工艺技术上成功打造了24Gb内存芯片。而即将推出的32Gb DDR5芯片将采用美光的1β（1-beta）工艺制造，这是该公司目前最先进的生产节点。然而，美光尚未透露其32Gb设备的数据传输速率。 32Gb DDR5 DRAM IC主要针对数据中心级内存模块，为1TB DDR5模块（使用32个8-Hi 32Gb堆叠）铺平了道路。但美光并没有急于求成，明年只会提供基于该芯片的128GB DDR5内存模块。未来，美光计划推出192GB和256GB DDR5模块。 此外，美光的路线图还出现了GDDR7显存芯片，预计将在2024年中期批量生产，数据传输速率为32 GT/s，颗粒容量可选16Gb和24Gb。此前，美光已宣布其HBM3 Gen 2内存正在向客户提供样品，其具有1.2 TB/s的聚合带宽，8高堆叠容量为24GB。