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5 月 18 日消息，三星宣布，采用 12 奈米制程工艺的16GB DDR5 DRAM 已经开始大量生产。

与上一代产品相比，三星 12 奈米的 DDR5 DRAM 的速率达到了 7.2Gbps，功耗降低了 23%，同时将晶圆的生产效率提高了 20%。

根据三星去年公布的工艺讲解，三星在 12 奈米制程技术上使用了一种新的 high-κ 高介电材料，有助于提高电池电容。而在高电容的情况下，数据信号出现明显的电势差，更容易进行准确区分。